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硅壓阻式擴散硅壓力傳感器構造與原理
發布時間:2018-07-23   點擊次數:60次

硅壓阻式擴散硅壓力傳感器是采用高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的,具有較高的測量精度、較低的功耗和極低的成本?;菟诡D電橋的壓阻式傳感器,如無壓力變化,其輸出為零,幾乎不耗電。
  擴散硅壓力變送器_產品實拍圖_西源科技系列硅壓阻式擴散硅壓力傳感器采用周邊固定的圓形應力杯硅薄膜內壁,采用西源科技自主研發技術直接將四個高精密半導體應變片刻制在其表面應力最大處,組成惠斯頓測量電橋,作為力電變換測量電路,將壓力這個物理量直接變換成電量,其測量精度能達0.25-0.5%FS。硅壓阻式擴散硅壓力傳感器上下二層是玻璃體,中間是硅片,硅片中部做成一應力杯,其應力硅薄膜上部有一真空腔,使之成為一個典型的絕壓擴散硅壓力傳感器。應力硅薄膜與真空腔接觸這一面經光刻生成電阻應變片電橋電路。當外面的壓力經引壓腔進入傳感器應力杯中,應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起,發生彈性變形,四個電阻應變片因此而發生電阻變化,破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡,電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。
  擴散硅壓力傳感器的壓力直接作用于傳感器的膜片上(不銹鋼或陶瓷),使膜片產生與介質壓力成正比的微位移,使傳感器的電阻值發生變化,和用電子線路檢測這一變化,并轉換輸出一個對應于這一壓力的標準測量信號。

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